4116 DRAM
Patillaje | ||
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Pin | Nombre | Descripción |
Pin 1 | VBB | -5 Voltios |
Pin 2 | DIN | Data IN |
Pin 3 | WRITE | Lectura/escritura |
Pin 4 | RAS | Row Adress Strobe |
Pin 5 | A0 | Address Input 0 |
Pin 6 | A2 | Address Input 2 |
Pin 7 | A1 | Address Input 1 |
Pin 8 | VDD | +12 Voltios |
Pin 9 | VCC | +5 Voltios |
Pin 10 | A5 | Address Input 5 |
Pin 11 | A4 | Address Input 4 |
Pin 12 | A3 | Address Input 3 |
Pin 13 | A6 | Address Input 6 |
Pin 14 | DOUT | Data Out |
Pin 15 | CAS | Colum Adress Strobe |
Pin 16 | GND | Masa |
El 4116 es un chip MOS de 16384 bits (2 Kilobytes) de memoria RAM dinámica en un encapsulado Dual in-line package de 16 pines. Su tiempo de acceso puede ser de 100/120/150/200 nanosegundos y su salida es triestado.
Este chip equipó a la mayoría de los primeros ordenadores (principalmente equipos de hasta 16 o 32 kilobytes) y varias máquinas arcade hasta que fue sustituido por el 4164 DRAM, con ocho veces más memoria y en el mismo encapsulado DIP de 16 patillas.
Su estructura interna está formada por una matriz de 128 filas y 128 columnas donde cada bit se designa con una dirección de 14 bits. Para acceder a una celda se emplean las patillas A0 a A7 y las RAS (Row Adress Strobe) y CAS (Colum Adress Strobe). RAS y CAS deben estar inicialmente a 1 para recibir los 7 bits menos significativos de la dirección (A6...A0). Una vez recibidos, RAS debe cambiar a 0 con lo cual los 7 bits se cargan en el registro de direcciones de memoria y el dispositivo queda disponible para recibir los 7 bits mas significativos (A7...A14) de la dirección. Una vez se aplican estos bits, CAS debe cambiar a 0, cargándolos de esta forma en el registro de direcciones en su respectiva posición y permitiendo finalmente acceder a la posición de memoria para efectuar la operación de lectura o escritura.
Al ser muy difícil localizar existencias, se han generalizado los montajes para sustituir estos chips por 4164 DRAM o 41256 DRAM[1] que son pin compatibles.
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AMD AM9016
Referencias
Enlaces externos
- Montajes Elektor varios usan 4116/4164 DRAM