Diferencia entre revisiones de «2114 SRAM»
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Revisión del 20:33 20 ago 2021
La 2114 SRAM es la denominación de un chip de memoria RAM estática con Multiplexed I/O que se presenta en un encapsulado DIP18. Tiene 1024 palabras, cada una de 4 bits (4096 bits = 512 bytes). Manufacturada con tecnología NMOS por muchos fabricantes, ha sido ampliamente usada en ordenadores domésticos, máquinas arcade y kits electrónicos.
Dos pines controlan las operaciones en un 2114. Chip Select (/CS) habilita las operaciones de lectura y escritura y controla el TRI–STATING (triestado) en el buffer de salida de datos. Write Enable (/WE) conmuta entre los modos READ y WRITE y también controla el TRI–STATING de la salida. La tabla de verdad siguiente detalla los estados producidos por combinaciones de los controles CS y WE.
| CS | WE | I/O | MODO |
|---|---|---|---|
| H | X | Hi–Z | Not Selected |
| L | L | H | Write 1 |
| L | L | L | Write 0 |
| L | H | DOUT | Read |
Durante la sincronización del ciclo de lectura, WE se mantiene alto. Independientemente de CS, cualquier cambio en el código de direcciones provoca que nuevos datos sean direccionados y colocados en el buffer de salida. Sin embargo CS debe estar bajo para que el buffer de salida se habilite y transfiera el dato al pin de salida.
El tiempo de acceso de dirección, tA, es el tiempo requerido para que un cambio en la dirección provoque nuevos datos en el pin de salida, asumiendo que CS ha habilitado el buffer de salida antes de la llegada de datos. Chip Select–to–output delay, tCO, es el tiempo requerido por CS para habilitar el buffer de salida y transferir los datos previamente direccionados al pin de salida. Está permitido operar con CS continuamente bajo.
La escritura ocurre solamente cuando CS y WE están bajos. El ancho mínimo de pulso de escritura, tWP, se refiere a esta región baja simultánea. Los tiempos de preparado y almacenaje de datos se miden con respecto al control que se levanta primero. Sucesivas operaciones de escritura pueden realizarse manteniendo CS bajo. WE es utilizado entonces para para terminar las escrituras entre cada cambo de dirección. Alternativamente, WE puede mantenerse bajo para sucesivas operaciones de escritura y CS se usa para terminar las operaciones entre cambios de direcciones.
En cualquier caso, WE o CS (o ambos) deben estar altos durante los cambios de dirección para prevenir operaciones de escritura erróneas.
Equipos con 2114
- Ordenadores domésticos
- Máquinas Arcade
Chips compatibles
| Unidades | nanosegundos | Voltios | mA | Voltios | pF | Voltios/mA | pF | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Fabricante | Modelo | tACC max |
tCAC max |
tOE max |
tOH min |
tOD max |
tWP min |
tDS min |
tDH min |
tWD min |
tWR max |
vDD o vCC |
iDD max |
vIL max |
vIH min |
cI max |
VOL/I VOL max |
VOH/I VOH min |
Co max |
| Fujitsu | MB8114E | 200 | 50 | 60 | 120 | 120 | 0 | 0 | 4,75~5,25 | 100 | 0,8 | 2 | 5 | 0,4/2,1 | 2,4/0,2 | 8 | |||
| Fujitsu | MB8114EL | 200 | 50 | 60 | 120 | 120 | 0 | 0 | 4,75~5,25 | 70 | 0,8 | 2 | 5 | 0,4/2,1 | 2,4/0,2 | 8 | |||
| Fujitsu | MB8114N | 300 | 50 | 80 | 150 | 150 | 0 | 0 | 4,75~5,25 | 100 | 0,8 | 2 | 5 | 0,4/2,1 | 2,4/0,2 | 8 | |||
| Fujitsu | MB8114NL | 300 | 50 | 80 | 150 | 150 | 0 | 0 | 4,75~5,25 | 70 | 0,8 | 2 | 5 | 0,4/2,1 | 2,4/0,2 | 8 | |||
| Fujitsu | MB8148-55 | 55 | 55 | 15 | 5 | 20 | 40 | 20 | 0 | 0 | 5 | 4,50~5,50 | 180 | 0,8 | 2,1 | 5 | 0,4/8 | 2,4/4 | 7 |
| Fujitsu | MB8148-70 | 70 | 70 | 15 | 5 | 20 | 50 | 25 | 0 | 0 | 5 | 4,50~5,50 | 180 | 0,8 | 2,1 | 5 | 0,4/8 | 2,4/4 | 7 |
| Fujitsu | MB8148L-55 | 55 | 55 | 15 | 5 | 20 | 40 | 20 | 0 | 0 | 5 | 4,50~5,50 | 125 | 0,8 | 2,1 | 5 | 0,4/8 | 2,4/4 | 7 |
| Fujitsu | MB8148L-70 | 70 | 70 | 15 | 5 | 20 | 50 | 25 | 0 | 0 | 5 | 4,50~5,50 | 125 | 0,8 | 2,1 | 5 | 0,4/8 | 2,4/4 | 7 |
| Fujitsu | MBM2114A-10L | 100 | 70 | 15 | 30 | 75 | 70 | 0 | 0 | 4,50~5,50 | 40 | 0,8 | 2,1 | 5 | 0,4/8 | 2,4/4 | 5 | ||
| Fujitsu | MBM2114-15L | 150 | 70 | 15 | 40 | 90 | 90 | 0 | 0 | 4,50~5,50 | 40 | 0,8 | 2,1 | 5 | 0,4/8 | 2,4/4 | 5 | ||
| Hitachi | HM 472114 | ||||||||||||||||||
| Intel | P2114 | ||||||||||||||||||
| Mitsubishi | M5L2114LP | 450 | 450 | 50 | 20 | 200 | 200 | 0 | 0 | 0 | 4,50~5,50 | 65 | 0,8 | 2 | 5 | 0,4/2,1 | 2,4/0,2 | 8 | |
| Mitsubishi | M5L2114LP-2 | 200 | 200 | 50 | 20 | 120 | 120 | 0 | 0 | 0 | 4,50~5,50 | 65 | 0,8 | 2 | 5 | 0,4/2,1 | 2,4/0,2 | 8 | |
| Mitsubishi | M5L2114LP-3 | 300 | 300 | 20 | 50 | 20 | 150 | 150 | 0 | 0 | 0 | 4,50~5,50 | 65 | 0,8 | 2 | 5 | 0,4/2,1 | 2,4/0,2 | 8 |
| Mitsubishi | M5L2114LS | 450 | 450 | 50 | 20 | 200 | 200 | 0 | 0 | 0 | 4,50~5,50 | 65 | 0,8 | 2 | 5 | 0,4/2,1 | 2,4/0,2 | 8 | |
| Mitsubishi | M5L2114LS-2 | 200 | 200 | 20 | 50 | 20 | 120 | 120 | 0 | 0 | 0 | 4,50~5,50 | 65 | 0,8 | 2 | 5 | 0,4/2,1 | 2,4/0,2 | 8 |
| Mitsubishi | M5L2114LS-3 | 300 | 300 | 20 | 50 | 20 | 150 | 150 | 0 | 0 | 0 | 4,50~5,50 | 65 | 0,8 | 2 | 5 | 0,4/2,1 | 2,4/0,2 | 8 |
| Motorola | MCM2114P20 | 200 | 200 | ||||||||||||||||
| MOS Technology | MCS2114 | ||||||||||||||||||
| MOS Technology | MPS2114 | ||||||||||||||||||
| National Semiconductor | MM2114N | 150 | 150 | ||||||||||||||||
| NEC | µPD2114LC | 450 | 450 | ||||||||||||||||
| NTE | NTE2114 | 300 | 300 | ||||||||||||||||
| Sanyo | LC3514A | ||||||||||||||||||
| Solid State Scientific | SCM2114AL | ||||||||||||||||||
| Toshiba | TMM314APL-1 | ||||||||||||||||||